Tytuł artykułu

Optoelectronic pressure dependent study of MgZrO3 oxide and ground state thermoelectric response using Ab-initio calculations

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2019

Wolumin

vol. 27

Numer

No 2

Autorzy

Noor, N.A. ; Rashid, M. ; Mahmood, Q. ; Ul Haq, B. ; Naeem, M.A. ; Laref, A.

Słowa kluczowe

Pressure-induced structure ; Direct band gap semiconductors ; Thermal efficiency ; Dispersion light ; Density functional theory (DFT)

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

194-201

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

05.07.2019

Typ

Artykuły / Articles

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2019; vol. 27; No 2; 194-201

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar