Tytuł artykułu

Numerical analysis of SiGeSn/GeSn interband quantum well infrared photodetector

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2018

Wolumin

vol. 26

Numer

No 2

Autorzy

Pareek, P. ; Das, M.K. ; Kumar, S.

Słowa kluczowe

GeSn ; QWIP ; Strain balanced ; Sn composition ; Bandwidth ; Responsivity

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

149-157

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

02.05.2018

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2018; vol. 26; No 2; 149-157