Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Low Leakage and Robust Sub-threshold SRAM Cell Using Memristor Tytuł czasopisma International Journal of Electronics and Telecommunications Rocznik 2022 Wolumin vol. 68 Numer No 4 Autorzy Mustaqueem, Zeba ; Ansari, Abdul Quaiyum ; Akram, Md Waseem Afiliacje Mustaqueem, Zeba : Jamia Milia Islamia Central University, India ; Ansari, Abdul Quaiyum : Jamia Milia Islamia Central University, India ; Akram, Md Waseem : Jamia Milia Islamia Central University, India Słowa kluczowe 6T SRAM cell ; memristor ; power dissipation ; read and write operation ; leakage current ; stability ; non-volatile circuit Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 667-676 Wydawca Polish Academy of Sciences Committee of Electronics and Telecommunications Data 2022.12.19 Typ Article Identyfikator DOI: 10.24425/ijet.2022.141287 ; ISSN 2081-8491, eISSN 2300-1933 <div class="test"></div>