Szczegóły

Tytuł artykułu

Fabrication and characterisation of the PiN Ge photodiode with poly-crystalline Si:P as n-type region

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2023

Wolumin

31

Numer

special issue

Autorzy

Afiliacje

Durlin, Quentin : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Aliane, Abdelkader : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; André, Luc : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Kaya, Hacile : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Le Cocq, Mélanie : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Goudon, Valérie : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Vialle, Claire : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Veillerot, Marc : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Hartmann, Jean-Michel : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France

Słowa kluczowe

Germanium (Ge) ; photodiode ; short-wave infrared detector

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

e144550

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

24.02.2023

Typ

Article

Identyfikator

DOI: 10.24425/opelre.2023.144550 ; ISSN 1896-3757

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar
×