Szczegóły
Tytuł artykułu
Fabrication and characterisation of the PiN Ge photodiode with poly-crystalline Si:P as n-type regionTytuł czasopisma
Opto-Electronics ReviewRocznik
2023Wolumin
31Numer
special issueAutorzy
Afiliacje
Durlin, Quentin : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Aliane, Abdelkader : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; André, Luc : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Kaya, Hacile : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Le Cocq, Mélanie : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Goudon, Valérie : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Vialle, Claire : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Veillerot, Marc : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, France ; Hartmann, Jean-Michel : Univ. Grenoble Alpes, CEA-Leti, F-38000 Grenoble, FranceSłowa kluczowe
Germanium (Ge) ; photodiode ; short-wave infrared detectorWydział PAN
Nauki TechniczneZakres
e144550Wydawca
Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of TechnologyData
24.02.2023Typ
ArticleIdentyfikator
DOI: 10.24425/opelre.2023.144550 ; ISSN 1896-3757Indeksowanie w bazach
Abstracting and Indexing:Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang
additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar