Szczegóły
Tytuł artykułu
The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructuresTytuł czasopisma
Opto-Electronics ReviewRocznik
2024Wolumin
32Numer
1Autorzy
Afiliacje
Majkowycz, Kinga : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Kopytko, Małgorzata : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Murawski, Krzysztof : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Martyniuk, Piotr : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, PolandSłowa kluczowe
deep-level transient spectroscopy (DLTS) ; traps ; MOCVD ; MCTWydział PAN
Nauki TechniczneZakres
e149182Wydawca
Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of TechnologyData
18.02.2024Typ
ArticleIdentyfikator
DOI: 10.24425/opelre.2024.149182 ; ISSN 1896-3757Indeksowanie w bazach
Abstracting and Indexing:Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang
additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar