Szczegóły

Tytuł artykułu

The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructures

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2024

Wolumin

32

Numer

1

Autorzy

Afiliacje

Majkowycz, Kinga : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Kopytko, Małgorzata : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Murawski, Krzysztof : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Martyniuk, Piotr : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland

Słowa kluczowe

deep-level transient spectroscopy (DLTS) ; traps ; MOCVD ; MCT

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

e149182

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

18.02.2024

Typ

Article

Identyfikator

DOI: 10.24425/opelre.2024.149182 ; ISSN 1896-3757

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar
×