Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Ultra-low Power FinFET SRAM Cell with Improved Stability Suitable for Low Power Applications Tytuł czasopisma International Journal of Electronics and Telecommunications Rocznik 2019 Wolumin vol. 65 Numer No 4 Autorzy Birla, Shilpi Słowa kluczowe FinFET ; RSNM ; WSNM ; Hold Margin ; Subthreshold ; Leakage Power Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 603-609 Wydawca Polish Academy of Sciences Committee of Electronics and Telecommunications Data 2019.11.03 Typ Article Identyfikator DOI: 10.24425/ijet.2019.129819 ; ISSN 2081-8491, eISSN 2300-1933 Źródło International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019; vol. 65; No 4; 603-609 <div class="test"></div>