Tytuł artykułu

Analysis of triple metal surrounding gate (TM-SG) III–V nanowire MOSFET for photosensing application

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2018

Wolumin

vol. 26

Numer

No 2

Autorzy

Sharma, S.K. ; Jain, A. ; Raj, B.

Słowa kluczowe

ATLAS-3D ; Dark current ; Photosensor ; Quantum efficiency ; Responsivity ; TM-SG nanowire MOSFET

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

141-148

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

27.04.2018

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2018; vol. 26; No 2; 141-148

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar